《半導體》北美技術論壇首秀A16技術 臺積電預計2026量產

於美國加州聖塔克拉拉市舉行的臺積電北美技術論壇今年適逢舉辦30週年，出席貴賓從首屆不到100位增至今年逾2000位，爲接下來陸續登場的全球技術論壇揭開序幕，並設置創新專區，展示新興客戶的技術成果。

臺積電會中揭示最新制程、先進封裝及三維積體電路（3D IC）技術，驅動下一世代AI的創新。其中，隨着強化版的3奈米N3E製程進入量產、2奈米N2製程預計2025年下半年量產，臺積電在技術藍圖上推出新技術A16，預計於2026年量產。

臺積電說明，A16將結合超級電軌（Super Power Rail）架構與奈米片電晶體，適用於具複雜訊號佈線及密集供電網路的高速運算（HPC）產品。相較於N2P製程，A16在相同工作電壓下速度增快8～10％，相同速度下功耗降低15～20％，晶片密度提升達1.1倍。

其次，臺積電即將推出的N2製程將搭配TSMC NanoFlex技術，爲晶片設計人員提供靈活的N2標準元件。作爲晶片設計的基本構建模組，客戶能在相同設計區塊中優化高低元件組合、調整設計，進而在應用的功耗、效能及面積間取得最佳平衡。

再者，臺積電爲因應更廣泛的應用，宣佈推出延續強化版5奈米制程N4P技術的N4C技術，提供與N4P完全相容、且具面積效益的基礎矽智財及設計法則，晶粒成本降低達8.5％且採用門檻低，晶粒尺寸縮小亦提高良率，預計於2025年量產。

因應客戶愈趨採用CoWoS先進封裝搭配系統整合晶片（SoIC）及其他元件，以實現最終的系統級封裝（SiP）整合，臺積電宣佈推出系統級晶圓（SoW）技術，讓12吋晶圓能容納大量晶粒、提供更多算力，大幅減少數據中心使用空間，並使每瓦效能提升好幾個數量級。

臺積電指出，已量產的首款SoW產品採用以邏輯晶片爲主的整合型扇出（InFO）技術，採用CoWoS技術的晶片堆疊版本預計2027年準備就緒，能整合SoIC、高頻寬記憶體（HBM）及其他元件，打造強大且算力媲美數據中心伺服器機架、甚至整臺伺服器的晶圓級系統。

此外，因應AI熱潮帶動的數據傳輸爆炸性成長，臺積電正研發緊湊型通用光子引擎（COUPE）技術，可提供最低電阻及更高能源效率，預計2025年完成支援小型插拔式連接器的COUPE驗證、2026年整合CoWoS封裝成爲共同封裝光學元件（CPO），將光連結直接導入封裝中。

最後，續推出支援車用客戶採用的N3AE製程後，臺積電藉由整合先進晶片與封裝，持續滿足車用客戶更高的算力需求，正在研發InFO-oS及CoWoS-R解決方案，支援先進駕駛輔助系統（ADAS）、車輛控制及中控電腦等應用，預計第四季完成AEC-Q100第二級驗證。

臺積電總裁魏哲家表示，AI功能不僅建置於數據中心，也內建於PC、行動裝置、汽車甚至物聯網中。臺積電爲客戶提供最完備的技術，從全世界最先進的矽晶片，到最廣泛的先進封裝組合與3D IC平臺，再到串連虛實世界的特殊製程技術，以實現客戶對AI的願景。