比亞迪半導體申請半導體器件及其製備方法專利,可以提高關斷速度、降低關斷損耗
金融界2024年6月28日消息,天眼查知識產權信息顯示,比亞迪半導體股份有限公司申請一項名爲“半導體器件及其製備方法“,公開號CN202211687045.1,申請日期爲2022年12月。
專利摘要顯示,本發明公開了一種半導體器件及其製備方法,半導體器件包括元胞區和終端區,終端區環繞元胞區;漂移區,所述漂移區分佈於元胞區和終端區;漂移區的背面設置有集電區,集電區包括多個從元胞區到終端區排布的集電子區,多個集電子區的摻雜濃度不同,並且越靠近終端區的集電子區的摻雜濃度越低。本發明的半導體器件和製備方法,可以提高關斷速度、降低關斷損耗,減小終端主結處空穴電流的局部積聚,避免器件燒燬。
本文源自:金融界
作者:情報員
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