杭州譜析光晶申請集成異質結二極管的平面柵碳化硅 MOSFET 器件專利，能夠降低柵介質中的電場強度

金融界 2024 年 11 月 4 日消息，國家知識產權局信息顯示，杭州譜析光晶半導體科技有限公司申請一項名爲“集成異質結二極管的平面柵碳化硅 MOSFET 器件”的專利，公開號 CN 118888588 A，申請日期爲 2024 年 7 月。

專利摘要顯示，本發明公開了集成異質結二極管的平面柵碳化硅 MOSFET 器件，本發明涉及半導體功率器件技術領域，包括漏極電極，漏極電極的上端設置有導電襯底層，導電襯底層的上端設置有導電外延層，導電外延層的上端設置有特徵溝槽，特徵溝槽的下端開有兩組磁場緩衝槽，兩組磁場緩衝槽上均設置有兩組磁場緩衝槽，導電外延層與特徵溝槽之間共同設置有兩個第二溝槽，導電外延層的上端兩側均設置有導電阱區該集成異質結二極管的平面柵碳化硅 MOSFET 器件能夠降低柵介質中的電場強度，有效保護柵介質不被擊穿，實現較低的導通壓降和開關損耗，避免雙極退化問題，以及降低製作成本的同時，能夠增加器件光刻的精準度。

本文源自：金融界

作者：情報員