慧榮科技於FMS 2024 推出全球首款採用臺積6奈米EUV製程的控制晶片

慧榮科技在8月6日至8日於美國加州舉辦的FMS（Future of Memory and Storage）上，展示以SM2508爲主的SSD控制晶片及其他創新技術。圖／公司提供

全球NAND快閃記憶體控制晶片領導廠商慧榮科技（SIMO）7日宣佈推出一款專爲AI PC和遊戲主機設計、具備最佳效能功耗比的SM2508 PCIe Gen5 NVMe 2.0消費級SSD控制晶片，是全球首款採用臺積電6奈米EUV製程的PCIe Gen5消費級SSD控制晶片，相較於競爭廠商的12奈米制程，功耗大幅降低50%。

慧榮在8月6日至8日於美國加州舉辦的FMS（Future of Memory and Storage）上，展示以SM2508爲主的SSD控制晶片及其他創新技術。

慧榮表示，SM2508整個SSD的功耗低於7W，比PCIe Gen4 SSD提高了1.7倍的功耗效率，且比目前市場上的PCIe Gen5競爭產品提升達70%，是一款專爲 AI 筆電所設計的高效能、低功耗PCIe Gen5 x4 NVMe 2.0 SSD控制晶片，支援 8 個 NAND 通道，每通道速度高達3,600MT/s，循序讀寫速度最高可達 14.5 GB/s 和 13.6 GB/s，隨機讀寫效能最高可達2.5M IOPS，相較於PCIe Gen4產品，效能提升了2倍。

慧榮科技終端與車用儲存事業部資深副總段喜亭指出，SSD 儲存解決方案持續演進，以因應未來 AI 應用所帶來的新挑戰，包括資料效率和高效能模型的需求，公司的PCIe Gen5 SSD 控制晶片擁有業界最佳的功耗效率，可滿足當今AI PC的獨特需求，提供高效能與低功耗，以符合未來不斷日新月異的 AI PC 標準。

慧榮科技在8月6日至8日於美國加州舉辦的FMS（Future of Memory and Storage）上，展示以SM2508爲主的SSD控制晶片及其他創新技術。圖／公司提供