Intel宣佈佈署高數值孔徑極紫外光微影設備 將於Intel 18A後取得製程技術領先地位

Intel宣佈於美國俄勒岡州希爾斯伯勒的研發基地中，已由研發人員完成業界首臺商用高數值孔徑極紫外光微影設備 (High NA EUV)組裝，預計在多項校準工作完成後，計劃於2027年正式啓用，並且將用於Intel 18A之後的Intel 14A製程產品。

此臺高數值孔徑極紫外光微影設備是由ASML供應，並且將在下一世代處理器產品扮演關鍵角色，而Intel也將以此設備佈署更進一步的製程技術，並且有助於Intel 18A之後製程技術推進。

ASML近日宣佈，位於荷蘭費爾德霍芬總部的高數值孔徑實驗室首次列印出10nm的高密度線路，創下EUV微影設備解析度的世界紀錄，成爲EUV微影設備迄今爲止列印出最精細的線路，而此項突破也讓ASML的合作伙伴蔡司 (ZEISS)在High NA EUV微影設備上的創新光學設計獲得驗證。

而當High NA UEV微影設備與Intel晶圓代工服務的其他製程技術結合時，列印尺寸預計將比現有EUV機臺縮小1.7倍。由於2D尺寸縮小，密度將提高2.9倍，Intel將以此持續發展更小、更密集的圖像化 (pattterning)技術，進一步延伸摩爾定律。

相較於0.33數值孔徑的EUV微影設備，高數值孔徑EUV微影設備 (或0.55數值孔徑的EUV微影設備)可爲類似的晶片尺寸提供更高成像對比度，並且減少每次曝光所需的進光量，進而縮短每層列印時間，藉此提高晶圓廠的產能。

Intel計劃於2025年的Intel 18A產品驗證，以及未來的Intel 14A量產階段採用0.33與0.55數值孔徑的EUV微影設備，並且結合其他先進的微影製程技術，共同推進先進晶片的開發和製造，藉此改善其先進製程技術成本與效能。

在此之前，Intel已經預告Intel 18A製程技術將於今年第二季投入量產，預計將用於代號「Lunar Lake」的下一代Core Ultra筆電處理器，同時也將用於協助代工生產以Arm新款架構設計的處理器。

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