繼華爲後又一突破！陸晶片廠秘密武器量產 快追上三星了

傳長江存儲出貨232層3D NAND產品。（示意圖／shutterstock）

華爲今年8月推出Mate 60 Pro智慧型手機採用中芯7奈米制程晶片，顯示大陸正在克服美國貿易制裁，並建立自己的半導體供應鏈。根據韓媒《BusinessKorea》報導，大陸記憶體晶片大廠長江存儲已成功開發並量產232層的NAND快閃記憶體。

該媒體引述《南華早報》報導，半導體分析公司TechInsights在一份報告中揭露，他們從今年7月推出的1TB消費級固態硬碟（SSD）致鈦（ZHITAI）600商品，發現長江存儲生產的232層4層單元（QLC）3D NAND記憶體。

相比之下，SK海力士的NAND最高堆疊層數是238層，三星電子未透露相關數據，市場傳爲236層，也意味着長江存儲已縮小與韓企三星電子與SK海力士的差距。

《南華早報》4月曾報導，長江存儲在美國製裁的情況下，計劃使用國產設備生產先進的3D NAND。TechInsights去年11月底發佈報告，揭露長江存儲已經在市場上推出首款200層以上3D NAND Flash，品名爲 X3-9070，已被海康威視CC700 2TB SSD固態硬碟採用。