京東方華燦光電申請發光二極管及製備方法專利，提升芯片良率

金融界2024年12月25日消息，國家知識產權局信息顯示，京東方華燦光電（蘇州）有限公司申請一項名爲“發光二極管及發光二極管製備方法”的專利，公開號 CN 119170722 A，申請日期爲2024年7月。

專利摘要顯示，本公開提供了一種發光二極管及發光二極管製備方法。所述發光二極管包括：襯底、鍵合層和外延結構；所述襯底與所述外延結構通過所述鍵合層鍵合；所述襯底包括襯底本體和位於所述襯底本體上的至少一個凸起，所述凸起位於所述鍵合層內，且所述凸起沿着遠離所述襯底本體的方向逐漸變寬。襯底包括襯底本體和位於襯底本體上的至少一個凸起，凸起位於鍵合層內，也即插入到鍵合層中且由於凸起沿着遠離襯底本體的方向逐漸變寬使得凸起與鍵合層能夠更好地固定在一起，從而讓襯底和外延結構之間更緊密地固定，減少脫落問題，提升芯片良率。

本文源自：金融界

作者：情報員