三星電子計劃在2026年推出最後一代10nm級工藝1d nm
《科創板日報》6日訊,三星電子DS部門展示了三星未來內存產品路線圖。根據DDR內存路線圖,三星計劃在2024年內推出1c nm製程DDR內存,該節點可提供32Gb顆粒容量產品;在2026年三星將推出其最後一代10nm級工藝1d nm,仍最大提供32Gb容量。 (韓國先驅報)
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