三星電子計劃在2026年推出最後一代10nm級工藝1d nm

《科創板日報》6日訊，三星電子DS部門展示了三星未來內存產品路線圖。根據DDR內存路線圖，三星計劃在2024年內推出1c nm製程DDR內存，該節點可提供32Gb顆粒容量產品；在2026年三星將推出其最後一代10nm級工藝1d nm，仍最大提供32Gb容量。 (韓國先驅報)