盛美半導體設備申請電鍍裝置專利，弱化基板遮擋區域電鍍厚度突變

金融界2024年11月30日消息，國家知識產權局信息顯示，盛美半導體設備(上海)股份有限公司申請一項名爲“電鍍裝置”的專利，公開號CN 119040996 A，申請日期爲2023年5月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種電鍍裝置，包括膜架，膜架包括中間通道和限定中間通道的中間擋牆，中間擋牆在基板所在平面的正投影區不存在以基板的中心爲圓心的圓。當基板在電鍍裝置內進行電鍍工藝時基板上對應中間擋牆的遮擋區域中任意點形成的軌跡爲以基板的中心爲圓心的圓，由於中間擋牆設計爲其在基板所在平面的正投影區不存在以基板的中心爲圓心的圓，那麼基板上對應中間擋牆的遮擋區域中任意一點的旋轉軌跡將不會完全包含在該正投影區範圍內，因此使得基板上任意一點與陽極之間的電場不會始終被中間擋牆所遮擋，同時基板上該遮擋區域的電鍍液流場不會明顯減小，最終基板上該遮擋區域的電鍍厚度突變被很大程度的弱化，電鍍厚度變化基本是平滑的。

本文源自：金融界

作者：情報員