盛美半導體推新設備 完善FOPLP產品線

盛美半導體推出Ultra C bev-p面板級邊緣刻蝕設備，完善FOPLP產品線。圖／盛美半導體提供

盛美半導體設備就於今（11）日推出用於扇出型面板級封裝（FOPLP）應用的突破性新型Ultra C bev-p面板邊緣刻蝕設備。該設備專爲銅相關製程中的邊緣刻蝕和清洗而設計，能夠同時處理面板的正面和背面的邊緣刻蝕，顯著提升了製程效率和產品可靠性。

這也是因應晶圓代工廠、後段封測廠和麪板搶進FOPLP大餅，封裝設備商提出最新的解決方案。

盛美半導體指出，FOPLP發展起源是在2016年，臺積電開發命名爲InFO（Integrated Fan-Out，整合扇出型封裝）拉開序曲，當時臺積電將InFO封裝運作封裝運用於蘋果iPhone 7處理器。

由於「面板級」封裝，其矩形可利用的面積比圓形的晶圓級更多。以510mm乘以510mm的矩形舉例，可使用的面積是既有12吋晶圓的3倍之多，不但可以放下更多的晶片，也能降低每單位封裝成本。

因爲AI GPU業者開始尋求更大尺寸、單位成本更低的封裝技術。日月光在法說會透露，FOPLP產品將會在2025年下半量產並開始出貨；臺積電董事長魏哲家預計2027年有望進入量產階段。 FOPLP將繼續受到市場關注。設備商也因市場需求推出符合其製程的機臺.

盛美半導體引用Yole Intelligence的報告指出，扇出型面板級封裝技術呈飛速發展態勢，其市場逐漸走向成熟。該分析公司預測，2023-2028年複合年增長率（CAGR）將達到32.5%，即自2022年約4100萬美元增至2028年2.21億美元。

盛美董事長王暉表示，扇出型面板級封裝的地位日益凸顯，原因在於該項技術能夠滿足現代電子應用不斷髮展的需求，在集成密度、成本效率和設計靈活性方面具有顯著優勢。得益於在溼法制程方面的深厚技術專長，盛美的新型Ultra C bev-p設備性能卓越，屬於首批可用於面板級應用的雙面邊緣刻蝕設備。盛美期待Ultra C bev-p與今年推出的Ultra ECP ap-p面板級水平式電鍍設備和Ultra C vac-p負壓清洗設備共同推動具有高精度特性的大型面板先進封裝行業以及扇出型面板級封裝技術市場發展。