SK海力士DRAM事業轉盈

記憶體晶片製造商SK海力士（SK Hynix）。 歐新社

全球第二大記憶體晶片製造商SK海力士（SK Hynix）上季虧損高於市場預期，DRAM晶片事業雖因人工智慧（AI）熱潮而轉虧爲盈，NAND快閃記憶體晶片部門卻仍陷虧損，暗示全球記憶體晶片市場復甦不均，SK海力士股價26日收盤重挫5.9%，爲一年多來最大單日跌幅。

SK海力士26日表示，第3季營業損失1.79兆韓元（13.2億美元），爲連四季出現營損，虧損金額雖比第2季的2.9兆韓元大幅收斂，但比市場預估高出42%。

海力士DRAM部門第3季終止連兩虧，且看好半導體景氣逐漸擺脫長達一年多的低迷，隨記憶體市況回溫，記憶體大廠南亞科、華邦電持續推進技術進程，模組廠威剛也強推新品搶攻市佔。

上季營收則年減17.5%至9.07兆韓元，減幅比第2季的47%收斂，整體營收則高於市場預期。里昂證券韓國公司分析師拉娜指出，多數分析師預估SK海力士上季頂多營損1.3兆韓元，從這個角度來看令人失望，而虧損大於預期、營收又高於預期，可能反映晶片廠產能利用率低迷的相關成本。

SK海力士表示，AI記憶體晶片HBM3和高容量行動DRAM等旗艦產品的銷售，帶動上季記憶體晶片出貨量季增約20%，平均售價也上漲約10%，促使該公司營收季增24%、營損季減38%，「最重要的是，在第1季轉爲虧損的DRAM事業，在兩季後重返獲利」。

SK海力士未來幾季將聚焦高效能產品，「明年的設施投資將增加，我們將更聚焦於設施轉型，而非擴張產能」。市場對生成式AI領域的高頻寬記憶體（HBM）等先進DRAM晶片需求強勁，SK海力士主管說，HBM3和HBM3E的明年需求超越產能，還收到額外的洽詢需求。由於庫存水準仍高，SK海力士NAND快閃記憶體部門虧損，並且審慎看待展望，將持續減少銷售這類產品，預估本季出貨量季減10%。