臺積電要小心？三星力拚1.4奈米 製程細節曝光

三星晶圓代工事業衝刺先進製程。（示意圖／shutterstock）

三星積極發展先進晶片製程技術，先前喊話1.4奈米要搶先臺積電在2027年量產，三星代工廠副總裁Jeong Gi-Tae近日受訪時透露1.4奈米制程細節，將增加奈米片的數量。

根據DigiTimes報導，Jeong Gi-Tae接受韓媒採訪時說，三星即將推出的SF1.4（1.4奈米級）製程技術，將把奈米片的數量從3個增加到4個，這樣的作法將顯著改善晶片的性能和功耗。

三星去年6月量產了SF3E（3奈米級環柵），引進全新的GAA架構電晶體技術，明年計劃邁向SF3的第二代3nm製程技術，2025年則預計推出效能增強型SF3P技術，並大規模量產SF2（2奈米）製程。到了2027年再推出SF1.4製程技術。

報導指出，三星增加每個電晶體的奈米片數量可增強驅動電流，進而提高性能。而且，更多的奈米片代表可以更好地控制電流，有助於減少漏電流、降低功耗，還能提高功率效率。

臺積電計劃要在2025年進入2奈米制程。三星則想憑藉在GAA的豐富經驗，增加其在代工市佔率的優勢。