臺積美國廠可豁免聯邦環評 建廠進度將更順遂

美國總統拜登1日簽署一項法案，允許聯邦政府補貼興建的美國半導體廠將可豁免聯邦環評一案，完成立法，臺積電亞利桑那州晶圓廠也可望受惠。臺積電／提供

美國總統拜登1日簽署一項法案，允許聯邦政府補貼興建的美國半導體廠將可豁免聯邦環評一案，完成立法，臺積電（2330）亞利桑那州晶圓廠也可望受惠，後續建廠進度將更順遂。

對外電相關報導，至昨日截稿爲止，臺積電暫時沒有迴應。

這項法案由民主黨參議員凱利和共和黨參議員克魯茲共同提案，已獲參衆兩院通過。白宮表示，「將繼續堅守承諾，確保半導體項目的建設和營運符合清潔的水、清潔的空氣、瀕危物種和其他的聯邦要求，並將工人、民衆健康和環境要承擔的風險和影響減至最低」。

若沒有這項新法，2022年晶片與科學法（CHIPS） 補助的項目，可能要依1969年國家環境政策法規定，通過額外環評才能取得設廠許可，已開始動工的項目可能被迫暫停或放緩進度，時程會多延誤幾年。半導體產業協會（SIA）已警告，若沒有這項法案，環評可能拖慢、甚至終止已在建廠中的計劃。

美國商務部已分配350多億美元給26項晶片建廠計劃，其中包括撥款66億美元給臺積電以助其擴大在美生產，向南韓三星電子撥款64億美元以擴建德州晶片廠，以及向英特爾和美光分別撥款85億美元和61億美元。

凱利認爲，精簡環評過程，是吸引就業迴流的關鍵步驟，也能降低美國半導體對中國大陸的依賴。克魯茲說，這項法案能夠避免微晶片製造設施的興建遭受不必要的拖延，提高吸引晶片業在美國設廠的吸引力，創造上千個薪酬優渥的工作，並強化供應鏈。

臺積電美國亞利桑那州新廠首座廠區已多次傳出試產進展，新廠4月工程晶圓試產良率外傳比美臺灣南科廠。業界看好，臺積電美國新廠今年內有機會力拚完成所有量產準備，若一切順利，實際量產時間有望比公司原訂2025年更早。對此，臺積電日前重申，專案照計劃進行，並且進展良好。

臺積電已於4月證實，美國亞利桑那州首座晶圓廠取得重大進展，進入採用4奈米制程工程晶圓生產（engineering wafer production）階段。

臺積電美國新廠首座廠預定2025上半年開始以4奈米制程量產。臺積電多次在法說會上強調，相信一旦晶圓廠開始量產，將能在亞利桑那州的每一座晶圓廠提供與臺灣晶圓廠相同水準的製造品質和可靠度。