消息稱HBM4標準放寬 三星、SK海力士推遲引入混合鍵合技術

《科創板日報》11日訊，據科技媒體ZDNET Korea報道，業界消息稱，國際半導體標準組織（JEDEC）的主要參與者最近同意將HBM4產品的標準定爲775微米（μm），比上一代的720微米更厚。據悉，該協議預計將對三星電子、SK海力士、美光等主要內存製造商的未來封裝投資趨勢產生重大影響。如果封裝厚度爲775微米，使用現有的鍵合技術就可以充分實現16層DRAM堆疊HBM4。考慮到混合鍵合的投資成本巨大，存儲器公司很可能將重點放在升級現有鍵合技術上。