《興櫃股》微矽電子營運回升 H2拚大成長

微矽電子第三代半導體測試領先業界，董事長張秉堂表示，第三代半導體面臨多項高技術含量挑戰，包括尺寸和密度的提高、高速度操作、功耗管理、新材料和結構的應用，以及更嚴格的可靠性要求。首先，半導體元件尺寸更小且密度更高，需要創新的測試解決方案和設備以確保測試可行性。其次，高速度操作要求更先進的測試設備和演算法，以避免性能瓶頸。此外，功耗管理變得更加關鍵，需要新的低功耗測試技術。同時，由於新材料和結構的應用，必須開發新的測試技術以應對這些挑戰。最後，爲了滿足更高的可靠性需求，需要長時間的測試和大量的測試數據分析，也因此，在第三代半導體相關之產品測試上具有相當高的門檻。董座強調，公司成立37年公司，已非新公司，而是老成持重的存在，董座更有40年封測經驗，公司此時登入創新板，對第三代半導體曝光也有幫助，若後續獲利得宜，也可望轉第一線上市。

微矽電子去年前三季營業收入6.20億元，營業毛利0.43億元，毛利率降至7%，稅後淨損0.55億元，每股虧損0.85元。不過公司營收在去年第一季谷底，去年度營收逐季走揚；微矽今年元月營收0.94億元，年增102.35%、月減0.67%。

佈局後續營運，微矽電子竹南廠啓動擴產計劃，擴建面積2045坪，擴建廠房預計今年第一季完工，3樓無塵室預計今年第二祭完工，整體預計增加晶圓測試設備100組，預計增加晶圓薄化產能5%。

微矽電子產品與製程分類，電源管理IC測試佔50%、MOSFRT晶圓薄化與測試佔30%(薄化18%、測試12%)，第三代半導體測試佔10%、半導體封裝佔10%。展望今年公司三大主要成長動能，其一電源管理IC(PMIC)，庫存水位逐漸恢復至健康水準，PC、NB、手機市場逐步復甦，加上AI伺服器持續成長，AI應用走向邊緣運算，AI PC、NB、手機帶動換機潮，而DDR5滲透率提升，帶動模組內建電源管理IC使用量增加。其二第三代半導體(GaN/SiC)，多家晶圓廠投入第三類半導體生產與擴產，供給增加，氮化鎵(GaN)在快速充電器、資料中心與無人機應用方面持續成長，碳化矽(SiC)在電動車、再生能源應用方面持續發酵，微矽電子碳化矽測試在今年開始進入量產。其三晶圓薄化(BGBM/FSM)電子商品用電量持續提升，節能需求刺激晶圓薄化需求成長，微矽電子BGBM產能持續擴產，新制程FSM今年開始進入量產。

微矽電子副總經理王志成展望今年營運展望，受到通膨趨緩，升息循環接近尾聲，今年有機會進入降息循環，半導體也歷經一年多的庫存調整，已逐步回到健康水位，其中AI伺服器成長動能將持續強勁，AI應用從伺服器拓展至邊緣AI，驅動今年AI PC、NB、手機的市場發展，而淨零排放也成爲全球共識下，節能需求持續成長，帶動相關功率半導體需求。微矽電子隨着竹南廠擴建完工，晶圓測試與晶圓薄化將依客戶需求狀況進行擴產，FSM與SiC晶圓測試預估在今年進入量產。微矽電子預估今年上半年營運將持續回升，下半年預估會有較佳的成長。