研調估 NVIDIA Blackwell 2025上半年放量 帶動 CoWoS-L

全球市場研究機構TrendForce今日發佈針對2025年科技產業發展，整理十大重點趨勢，其中提到聚焦2025年先進製程與AI推動下，半導體技術及CoWoS需求迎來革新與大幅增長，預估NVIDIA Blackwell新平臺2025年上半逐步放量後，將帶動CoWoS-L需求量超越CoWoS-S，佔比有望逾60%。

該機構分析，晶圓廠前段製程發展至7nm製程導入EUV微影技術後，FinFET結構自3nm開始逐漸面臨物理極限，先進製程技術自此出現分歧。TSMC及Intel延續FinFET結構於2023年量產3nm產品；雖Samsung嘗試由3nm首先導入基於GAAFET (Gate all around Field Effect Transistors)的MBCFET架構 (Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor)，並於2022年正式量產，但至今未放量。進入2025年後，TSMC 2nm正式轉進奈米片電晶體架構 (Nanosheet Transistor Architecture)，Intel 18A則導入帶式場效電晶體(RibbonFET)，Samsung仍致力改善MBCFET 3nm製程，力拚2025年實現規模量產，三方正式轉進GAAFET架構競賽，期盼藉由四面接觸有效控制閘極，爲客戶帶來更高效能、更低功耗且單位面積電晶體密度更高的晶片。

該機構也分析，AI應用造成客製化晶片及封裝面積的需求日益提升，同步推升2025年CoWoS需求。觀察明年CoWoS市場重要發展態勢：一、2025年NVIDIA對TSMC CoWoS需求佔比將提升至近60%，並驅動TSMC CoWoS月產能於年底接近翻倍，達75~80K；二、NVIDIA Blackwell新平臺2025年上半逐步放量後，將帶動CoWoS-L需求量超越CoWoS-S，佔比有望逾60%；三、CSP積極投入ASIC AI晶片建置，AWS等在2025年對CoWoS需求量亦將明顯上升。