英諾賽科：搶佔行業技術高地 前瞻性佈局增長勢頭迅猛

近日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（簡稱“英諾賽科”）公告，進一步委任中信里昂證券有限公司、華泰金融控股(香港)有限公司、富瑞金融集團香港有限公司爲其整體協調人。

6月12日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司正式向香港聯交所提交A1招股書，計劃在港股上市，此次上市由中金公司與招銀國際共同擔任聯席保薦人。

業內人士表示，作爲全球氮化鎵功率半導體的領航者，英諾賽科憑藉其在技術上的領先優勢和產能上的規模優勢，能夠快速響應市場變化，滿足不斷增長的市場需求。此次赴港上市，公司有望借力國際資本市場，進一步鞏固其行業領先地位。

乘氮化鎵發展東風 業績增長勢頭迅猛

放眼全球，第三代半導體尤其是氮化鎵市場正呈現出廣闊的發展前景。據沙利文預測，2023年是氮化鎵產業開啓指數級增長的元年，後續有望以98.5%的複合年增長率加速增長，市場規模由2024年的人民幣32.28億元增長至2028年的人民幣501.42億元。

面對氮化鎵市場的迅猛增長勢頭，英諾賽科始終走在全球功率半導體革命的前沿，致力於推動氮化鎵技術的創新與應用。作爲行業先鋒，英諾賽科近年的營收規模持續伴隨行業快速發展。

招股書顯示，截至2023年12月31日，以折算氮化鎵分立器件計，公司的累計出貨量超過5億顆，是全球氮化鎵出貨量的領軍企業。在營收方面，英諾賽科的年度收入從2021年的6821.5萬元人民幣躍升至2023年的5.9億元人民幣，收入複合年增長率高達194.8%，其迅猛的增長態勢展現出公司強大的市場競爭力。

氮化鎵技術全球領先 IDM模式凸顯行業競爭力

作爲全球領先的第三代半導體企業，英諾賽科專注於硅基氮化鎵外延與器件的研發與製造，其產品覆蓋消費電子、可再生能源、工業應用、汽車電子及數據中心等多個領域，彰顯出氮化鎵功率半導體行業巨擘的實力與雄心。

值得一提的是，英諾賽科擁有業界領先的氮化鎵核心技術，以及強大的研發團隊支撐。截至2023年底，公司擁有397名研發專家，其中不乏半導體行業翹楚，共同推動着技術與材料創新的邊界。在雄厚的研發實力下，公司在全球範圍內持有約700項專利及專利申請，覆蓋芯片設計、器件結構、晶圓製造、封裝及可靠性測試等關鍵環節，構築起堅實的技術壁壘。

英諾賽科在全球率先實現8英寸硅基氮化鎵晶圓的量產，這一突破性進展確立了公司在8英寸硅基氮化鎵晶圓技術上的全球領先地位。公司成功實現每月10,000片晶圓的生產瓶頸，晶圓良率超越95%，實現了規模化商業生產。此外，需要指出的是，英諾賽科是全球少有的全電壓譜系硅基氮化鎵半導體產品量產IDM公司。業內人士指出，IDM半導體企業歷來是資產密集型行業，前期資本開支巨大，盈利週期較Fabless企業更長。但IDM企業一旦形成穩定的競爭格局，其未來發展空間不可小視。

通過對氮化鎵技術的持續優化，英諾賽科的產品在頻率、功率密度和熱管理上展現出卓越性能，超越傳統硅基方案。IDM模式的優勢在於成本的有效管控，使英諾賽科能夠以更具競爭力的價格策略立足市場，形成難以複製的競爭優勢。

依託於其IDM模式的優勢、堅實的技術基礎及大規模產業化的商業能力，英諾賽科持續引領着氮化鎵功率半導體領域的創新與發展。公司此次向香港證券交易所遞交上市申請，是其發展旅程中的一個重要里程碑。分析人士指出，藉助國際資本市場的力量，英諾賽科有望加速技術創新和業務拓展的步伐，提升品牌影響力和市場競爭力，進一步鞏固其作爲全球龍頭的地位，在新一輪全球化產業競爭中取得更大成就。