中芯國際申請半導體結構形成方法專利，避免芯片中低介電常數材料層破裂

金融界2025年1月31日消息，國家知識產權局信息顯示，中芯國際集成電路製造（上海）有限公司、中芯國際集成電路製造（北京）有限公司申請一項名爲“半導體結構及其形成方法”的專利，公開號CN 119381369 A，申請日期爲2023年7月。

專利摘要顯示，本申請提供半導體結構及其形成方法，所述半導體結構包括：芯片，所述芯片表面依次形成有第一金屬連接結構、第一介質層和第一鈍化層，所述第一金屬連接結構的一部分貫穿所述第一介質層延伸至所述第一鈍化層中且被所述第一鈍化層暴露；第二金屬連接結構，位於所述被所述第一鈍化層暴露的第一金屬連接結構表面，所述第二金屬連接結構的頂面面積大於所述第一金屬連接結構的頂面面積且所述第二金屬連接結構的頂面完全覆蓋所述第一金屬連接結構的頂面；第三金屬連接結構，位於所述第二金屬連接結構的頂面，所述第三金屬連接結構完全位於所述第二金屬連接結構的頂面上。本申請提供一種半導體結構及其形成方法，可以避免芯片中低介電常數材料層破裂。

天眼查資料顯示，中芯國際集成電路製造（上海）有限公司，成立於2000年，位於上海市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本244000萬美元，實繳資本244000萬美元。通過天眼查大數據分析，中芯國際集成電路製造（上海）有限公司共對外投資了4家企業，參與招投標項目119次，知識產權方面有商標信息146條，專利信息5000條，此外企業還擁有行政許可435個。

本文源自：金融界

作者：情報員