《半導體》IET-KY：氮化鎵今年送樣階段 明年營收佔比不到10％

氮化鎵前景看俏，IET-KY(4971)(英特磊)強化在氮化鎵領域佈局，除氮化鎵(GaN)機臺已組裝完成試機中，預計9月開始試產，並已取得美國能源部合約，發展GaN/Si電力應用元件，公司也將與韓國IVWorks公司全面合作，共同開發以MBE分子束磊晶技術生產氮化鎵(GaN)磊晶片，IET-KY董事長高永中表示，今年氮化鎵處於送樣階段，預估明年營收佔比將低於10%。

IET-KY今天下午參加櫃檯買賣中心線上法說會，由於IET-KY日前宣佈與韓國IVWorks公司合作，共同開發以MBE分子束磊晶技術生產氮化鎵(GaN)磊晶片，此項合作案成爲今天線上法說會投資人詢問的焦點。

高永中表示，由於氮化鎵生長溫度很窄，且生產過程中無法全程監看，IVWorks運用混合式MBE技術(Hybrid-MBE)，也就是利用氨和電漿搭配的氮源進行磊晶，以最佳化質量和生長速率，該公司開發機器學習的人工智能(AI)磊晶監控系統“Domm”，透過深度學習算法來檢測和分析反射高能電子衍射(RHEED)圖像，使該系統可以在MBE磊晶過程中，即時監控原子層級的晶體生長表面，運用學習數據集來建立預測模型，並以該預測模型應用於磊晶片質量，提高生產良率，而英特磊以分子束磊晶片生產機臺(MBE)成長磊晶片於砷化鎵、磷化銦、銻化鎵基板，產品應用於電子及光電產業，兩家公司自2018年起在GaN材料和磊晶技術方面即有密切合作，技術和行銷聯盟的框架於2019年形成，利用英特磊在MBE的量產經驗模式，以及硬體設備自主改造升級的實力，可迅速將GaN磊晶片導入與IVWorks合作的產品組合，這是結合IVWorks的先進MBE GaN長晶和AI技術，以及英特磊的大規模MBE磊晶生產和硬體設備自主經驗與能力，共同開發MBE製造的GaN磊晶產品全球業務模式，這是互相授權全面合作，共同推展產品，但他強調，IET-KY不會投資IVWorks公司。

除與IVWorks公司合作，IET-KY氮化鎵(GaN)機臺已組裝完成試機中，預計9月開始試產，目前公司亦已取得美國能源部合約，發展GaN/Si電力應用元件，高永中表示，今年氮化鎵處於送樣階段，預計明年至少再增加1臺機器，明年相關產品營收佔比低於10%，2022年要看發展狀況，公司也將視情況增加機臺。