GPU之後，“AI暗戰”未歇：HBM迎來擴產+技術升級潮，本土產業鏈走到哪一步了？

《科創板日報》6月21日訊 搶了一年多的HBM產能，還是“缺”字當頭。

不說2024年，存儲原廠連2025年的HBM產能也已被預訂一空，訂單能見度甚至直達2026年一季度。

擺在供應商面前的有兩條路：擴產和技術提升——這兩條路由不得他們選擇走哪一條，想在這場競爭裡活下去、贏下去，就要“兩條腿走兩條路”。

於是之前稍微落後的美光出手了：全球擴產。

6月19日有消息稱，美光正在美國建設HBM測試產線與量產線，並首次考慮在馬來西亞生產HBM。公司目標是在2025年將HBM市佔率提高兩倍以上，達到20%左右。之前公司還計劃在日本廣島新建DRAM廠，預計2026年初動工、最快2027年底完工。

滿打滿算，現在距離美光的“2025年”最多也只有一年半，留給美光的時間實在不多了。

美光的HBM3e今年才正式加入戰場，短期內良率僅有SK海力士的一半左右；而其HBM單月產能約3000片——據臺灣電子時報本週數據，美光與SK海力士合計每月向英偉達供應6萬多片HBM，那麼美光靠着這3000片產能，供應比重僅有SK海力士的大約1/19。

SK海力士在這場HBM競逐中，至今仍保持着領先身位，但也已走上了大幅擴產的路。

同樣也是本週，有消息稱SK海力士正在大幅擴產第5代1b DRAM，以應對HBM與DDR5 DRAM的需求增加。按照晶圓投入量看，公司計劃將1b DRAM月產能從今年一季度的1萬片增加到年末的9萬片，到明年上半年進一步提升至14萬-15萬片，是今年一季度產能的14-15倍。

至於全球存儲三巨頭中剩下的三星，HBM3打入英偉達供應鏈之後，HBM3e供應卻頗爲坎坷，受限於散熱、功耗等方面，產品至今仍未敲開英偉達大門。這家韓國公司3月底曾表示，預計今年HBM產能將增至去年的2.9倍。

▌技術競賽

HBM是AI芯片中佔比最高的部分。根據外媒拆解，英偉達H100成本接近3000美元，其中佔比最高的便是SK海力士的HBM，憑藉2000美元左右的成本直接超過製造和封裝。

不久前黃仁勳宣佈，將英偉達的AI芯片更新週期從兩年壓縮至一年，換言之，每年一更新。這一策略不僅意味着客戶需要適應這樣迅速的迭代，也敦促着供應商提高技術演進的速度。

SK海力士近日已開始將混合鍵合應用於3D DRAM的量產。TSV+堆疊鍵合工藝爲當前HBM理想方案；但隨着堆疊層數增加，散熱要求增加，混合鍵合有望成爲下一代HBM4方案。

除了SK海力士之外，三星電子先進封裝團隊也已完成了採用16層混合鍵合HBM內存技術驗證，未來16層堆疊混合鍵和技術將用於HBM4內存量產。

▌國產供應鏈提速追趕

美光在補產能的課，三星在補技術驗證的課，而我國HBM也已開啓提速追趕之路。

臺灣電子時報6月20日已援引業內人士消息稱，IC設備和材料供應商已經看到中國企業對HBM等產品的需求強勁。

HBM產業鏈持續配套升級的同時，勢必帶來新需求，其中一個關鍵就是設備環節。

以前文提到的SK海力士擴產1b DRAM爲例，公司已下達設備訂單，“主要是薄膜沉積、刻蝕、光刻等核心設備。”還有業內人士指出，“設備訂單數量的增長已經超出了我們最初的預期。”

而目前來看，打入HBM產業鏈的大陸企業中，有材料公司、封測公司、設備廠，也有代銷商。

華金證券6月3日研報也建議關注HBM產業鏈相關標的，包括1）封測環節：通富微電（先進封裝）、長電科技（先進封裝）等；2）設備環節：拓荊科技（PECVD+ALD+鍵合設備）、華海清科（減薄+CMP）、華卓精科（擬上市，鍵合設備）、芯源微（臨時鍵合與解鍵合）等；3）材料環節：華海誠科（環氧塑封料）、天承科技（RDL+TSV電鍍添加劑）、艾森股份（先進封裝電鍍）等。

回望11年前，SK海力士就已首次製造出HBM，兩年後迎來第一位客戶AMD。但在此之後，HBM因價格高昂，再鮮見客戶買賬，沉寂多年以致一度被看作是“點錯了科技樹”。

如今，英偉達一片GPU終於爲HBM“正名”，整個行業都在追趕HBM的進度。畢竟，在AI硬件軍備賽中，時間就是生命，落後意味着淘汰。