HBM3e 產出放量！HBM 投片量年底有望佔先進製程約35%

美光。記者吳康瑋／攝影

據研調機構集邦科技（TrendForce）最新研究顯示，三大原廠已開始提高先進製程的投片，繼記憶體合約價翻揚後，公司資金投入開始增加，產能提升將集中在今年下半年，預期1alpha nm（含）以上投片至年底將佔DRAM總投片比重約40%。其中，HBM由於獲利表現佳，加上需求持續看增，故生產順序最優先。

不過受限於良率僅約50~60%，且晶圓面積相較DRAM產品，放大逾60%，意即所佔投片比重高。以各家TSV產能來看，至年底HBM將佔先進製程比重35%，其餘則用以生產LPDDR5(X)與DDR5產品。

以HBM最新發展進度來看，集邦表示，今年HBM3e將是市場主流，集中在今年下半年出貨。目前SK海力士（SK hynix）依舊是主要供應商，與美光（Micron）均採用1beta nm製程，兩家業者現已正式出貨給輝達（NVIDIA）；三星（Samsung）則採用1alpha nm製程，預期今年第2季完成驗證，於年中開始交付。

預期今年DDR5、LPDDR5(X)滲透率增加 將消耗更多先進製程產能

除了HBM需求佔比持續增加，PC、伺服器、智慧型手機三大應用單機搭載容量增長，故對於先進製程的消耗量也逐季提升，其中又以伺服器的容量提升最高，主要受惠於單機搭載容量1.75TB的AI伺服器所帶動。而隨着Intel、AMD新平臺Sapphire Rapids、Genoa量產後，其記憶體規格僅能採用DDR5，預期今年DDR5滲透率至年底將逾50%。

與此同時，由於HBM3e出貨將集中在今年下半年，期間同屬記憶體需求旺季，DDR5與LPDDR5(X)市場預期需求也將看增。但受到2023年虧損壓力影響，原廠產能擴張計劃也較謹慎。整體而言，在HBM投片比重擴大的情況下，將使得先進製程產出有限，下半年產能配置將是供給是否充足的關鍵。

若先進製程產能擴張不足 DRAM產品恐面臨供不應求

目前新廠規畫如下，三星現有廠房2024年底產能大致滿載，新廠房P4L規劃於2025年完工，同時Line15廠區將進行製程轉換，由1Ynm轉換至1beta nm以上。SK海力士除了M16明年產能預計擴大，M15X同樣亦規劃於2025年完工，並於明年底量產。美光臺灣廠區將於明年恢復至滿載，後續產能擴張將以美國廠爲主，Boise廠區預期於2025年完工並陸續移機，並計劃於2026年量產。

集邦表示，儘管三大原廠的新廠將於2025年完工，但部分廠房後續的量產時程尚未有明確規劃，需依賴2024年的獲利，才得以持續擴大采購機臺，此也進一步形成三大原廠堅守記憶體價格今年的漲勢。除此之外，由於NVIDIA GB200將於2025年放量，其規格爲HBM3e 192/384GB，預期HBM產出將接近翻倍，且緊接各原廠將迎來HBM4研發，若投資沒有明顯擴大，因各家產能規劃皆以HBM爲優先，在產能排擠的效應之下，DRAM產品恐有供應不及的可能性。