美光開始量產HBM3E高帶寬內存
美光科技2月26日宣佈開始量產HBM3E高帶寬內存。美光稱,其HBM3E的功耗將比競爭對手的產品低30%。
美光的HBM3E將應用於英偉達下一代AI芯片H200 Tensor Core GPU。
相關資訊
- ▣ 美光預計英偉達將在H200中使用其HBM3E高帶寬內存
- ▣ 美光開始量產HBM3E 將應用於英偉達H200 Tensor Core GPU
- ▣ 美光領先於SK Hynix 和三星 啓動HBM3E內存的生產
- ▣ TrendForce:三星電子HBM3E內存已獲英偉達驗證 8Hi產品開始出貨
- ▣ 三星開始量產其最薄LPDDR5X內存產品
- ▣ SK海力士預計9月底開始量產12層HBM3E
- ▣ 美光率先量產,HBM3E市場硝煙起
- ▣ 三星電子計劃二季度量產12層堆疊HBM3E內存
- 臺中四廠啓用 美光HBM3E明年Q1量產
- ▣ 三星據悉開始爲英偉達量產HBM3內存
- 任天堂Switch配置全面曝光 內存帶寬媲美PS3
- ▣ 保持行業領先,SK 海力士預計 9 月底量產 12 層 HBM3E 內存
- 繼2月搶先量產HBM3E晶片 美光獲輝達H200訂單
- ▣ 高帶寬內存市場供不應求 帶動產業鏈價格“水漲船高”丨行業風口
- ▣ GPU狂潮:內存巨頭爭奪HBM3e
- 創意、美光 3奈米HBM3E開花
- 美光新高頻寬記憶體 HBM3E 量產 將用於輝達 H200
- ▣ 美光宣佈 1-gamma EUV 內存試生產,下一代閃存目標 2025 年量產
- ▣ SK海力士今年將投資10億美元發展高帶寬內存技術
- ▣ 美迪凱:激光雷達貼片棱鏡已開始量產
- 加速AI普及 美光HBM3E記憶體正式量產
- ▣ 美迪凱(688079.SH):激光雷達貼片棱鏡已開始量產
- ▣ 《科技》HBM3韓商2角力 HBM3e逐步放量、美光參戰
- 美光宣佈量產HBM3E高頻寬記憶體 SK海力士股價應聲重挫
- ▣ 高通取得寬帶系統中的新無線電設備內共存專利
- ▣ 長鑫存儲傳開始量產 涉AI關鍵技術HBM2記憶體
- 「26.7萬劑已封緘」!高端解盲前早已開始量產 原因曝光
- ▣ SK海力士預計9月底量產12層HBM3E
- ▣ OPEC產量降 減產開始見效