聯電首推3DIC方案 加速5G裝置傳輸

聯電2日宣佈推出RFSOI製程技術的3D IC解決方案，在不耗損射頻效能情況下，晶片尺寸可減少45％。（圖／聯電提供）

晶圓廠聯電2日宣佈，推出業界首項RFSOI製程技術的3D IC解決方案，此55奈米RFSOI製程平臺上所使用的矽堆疊技術，在不損耗射頻(RF)效能下，可將晶片尺寸縮小45％以上，使客戶能夠有效率地整合更多射頻元件，以滿足5G更大的頻寬需求。

RFSOI是用於低雜訊放大器、開關和天線調諧器等射頻晶片的晶圓製程。隨着新一代智慧手機對頻段數量需求的不斷增長，聯電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術，並解決了晶片堆疊時常見的射頻干擾問題，將裝置中傳輸和接收資料的關鍵組件，透過垂直堆疊晶片來減少面積，以解決在裝置中爲整合更多射頻前端模組帶來的挑戰。該製程已獲得多項國際專利，準備投入量產。

聯電技術開發處執行處長Raj Verma表示，很高興以創新射頻前端模組的3D IC技術爲客戶打造最先進的解決方案。這項突破性技術解決了5G／6G智慧手機頻段需求增加所帶來的挑戰，更有助於在行動、物聯網和虛擬實境的裝置中，透過同時容納更多頻段來實現更快的資料傳輸。