聯電今日推出業界首項RFSOI 3D IC解決方案 加速5G時代創新

聯電今日宣佈推出業界首項RFSOI製程技術的3D IC解決方案。圖／公司提供。

晶圓代工大廠聯電（2303）2日宣佈推出業界首項RFSOI製程技術的3D IC解決方案，此55奈米RFSOI製程平臺使用的矽堆疊技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將晶片尺寸縮小逾45％，使客戶能有效率整合更多射頻元件，以滿足5G更大的頻寬需求。

聯電錶示，RFSOI是用於低雜訊放大器、開關和天線調諧器等射頻晶片的晶圓製程。隨着新一代智慧手機對頻段數量需求不斷成長，聯電的RFSOI 3D IC解決方案利用晶圓對晶圓鍵合技術，並解決晶片堆疊時常見的射頻干擾問題。

聯電指出，公司的RFSOI 3D IC解決方案將裝置中傳輸和接收資料的關鍵組件，透過垂直堆疊晶片來減少面積，以解決在裝置中整合更多射頻前端模組（RF-FEM）帶來的挑戰。此製程已獲得多項國際專利，準備投入量產。

聯電技術開發處執行處長馬瑞吉（Raj Verma）說明，此突破性技術不僅解決5G/6G智慧手機頻段需求增加帶來的挑戰，更有助在行動、物聯網和虛擬實境裝置中，透過同時容納更多頻段，來實現更快的資料傳輸。

馬瑞吉強調，聯電很高興能領先業界，以創新射頻前端模組的3D IC技術，爲客戶打造最先進的解決方案。未來將持續開發如5G毫米波（mmWave）晶片堆疊技術的解決方案，以滿足客戶對射頻晶片的需求。

據悉，聯電擁有業界最完整的射頻前端模組晶片解決方案，RFSOI解決方案系列從130到40奈米的製程技術，以8吋和12吋晶圓生產，目前已完成超過500個產品設計定案，出貨量高達380多億顆，除了RFSOI技術外，聯電的6吋晶圓廠聯穎光電還提供化合物半導體砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN），以及射頻濾波器（RF filters）技術，可充分滿足市場對射頻前端模組應用的各種需求。