三星電子HBM芯片據悉尚未通過英偉達測試,涉及發熱和功耗問題
5月23日消息,知情人士稱,由於發熱和功耗問題,三星電子最新的高帶寬內存(HBM)芯片尚未通過英偉達的測試,無法用於後者的人工智能處理器。據悉,這些問題涉及三星電子的HBM和HBM3E產品。
三星電子在一份聲明中表示,HBM是一種定製的內存產品,需要根據客戶的需求進行優化,“我們正通過與客戶的密切合作優化產品”。該公司拒絕就具體客戶發表評論。(路透)
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