三星據悉計劃改用SK海力士的MUF封裝工藝
五位知情人士透露,隨着芯片製造競賽升級,三星電子計劃採用競爭對手SK海力士使用的MR-MUF(批量回流模製底部填充)芯片封裝工藝,而非此前堅持使用的非導電薄膜(NCF)技術。三位直接知情人士稱,三星最近發出了處理MR-MUF技術的設備採購訂單。一位人士稱,三星還在與包括日本長瀨公司在內的材料製造商洽談採購MUF材料的事宜,但使用這一技術的高端芯片最早要到明年才能實現量產。三星還表示,其內部開發的NCF技術將用於其新的HBM3E芯片。(路透社)
相關資訊
- ▣ SK海力士據悉考慮新建一家DRAM工廠
- ▣ 特斯拉據悉要求三星和SK海力士提供HBM4芯片樣品
- SK海力士準備1cnm DRAM:第六代10nm級別工藝,計劃2024Q3量產
- ▣ SK海力士據悉將在HBM生產中採用混合鍵合技術
- ▣ 三星否認將在HBM芯片生產中應用MR-MUF工藝
- ▣ 三星據悉計劃爲芯片部門員工發放更多獎金
- 韓國晶片巨頭SK海力士 計劃升級在華工廠
- ▣ SK海力士5層堆疊3D DRAM製造良率據悉已達56.1%
- ▣ SK海力士、臺積電、英偉達據悉將合作開發下一代HBM
- ▣ SK海力士將更環保氣體運用於芯片清潔工藝
- ▣ 亞馬遜據悉計劃對Alexa進行人工智能改造
- SK海力士年獲利 估首超三星
- ▣ 通用DRAM需求尚未恢復 三星和SK海力士相關工廠開工率80%-90%
- 傳SK海力士擬在美興建先進晶片封裝廠 明年初動工
- ▣ 三星將推新V-NAND 對戰SK海力士
- ▣ 《國際產業》三星急了 傳改採SK海力士製程搶AI單
- ▣ 《國際金融》外資變心 拋棄SK海力士、改抱三星電子
- ▣ 《韓股》三星、SK海力士走升 韓股漲1%
- ▣ SK海力士、三星將停產 臺廠DDR3看漲
- ▣ 《韓股》三星、SK海力士喊衝 韓股大漲
- 輝達鏈友 SK海力士赴美 蓋先進晶片封裝廠
- ▣ 全球大裁員?三星電子據悉計劃將部分海外部門人員裁減30%
- ▣ SK海力士計劃到2028年投資103萬億韓元 用於AI和芯片領域
- ▣ 《韓股》三星、SK海力士續挫 韓股連4黑
- ▣ 三星電子:追趕 SK 海力士,AI 芯片之爭
- ▣ 《韓股》三星、SK海力士領軍 韓股大漲1.87%
- ▣ 《韓股》三星、SK海力士收低 韓股連3黑
- ▣ 《韓股》韓政府力挺建廠 三星、SK海力士領漲
- ▣ 《韓股》三星、SK海力士跌逾1% 韓股無力翻紅