三星否認將在HBM芯片生產中應用MR-MUF工藝
財聯社3月13日電,三星電子發佈聲明稱,關於三星將在其HBM芯片生產中應用MR-MUF(批量回流模製底部填充)技術的傳言並不屬實。早些時候有報道稱,三星計劃採用SK海力士使用的MR-MUF封裝工藝,替代部分其目前採用的非導電薄膜(NCF)技術。
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