世界斥資24億元參與漢磊私募 雙方結盟合作研發及製造8吋SiC

世界先進董事長方略宣佈斥資24億元參與漢磊私募，雙方共同推動化合物半導體碳化矽（SiC）8吋晶圓技術研發與生產製造。圖／聯合報系資料照片

漢磊與世界先進今天舉行董事會，會後發佈重訊雙方宣佈策略合作，共同推動化合物半導體碳化矽（SiC）8吋晶圓技術研發與生產製造；世界將斥資新臺幣24.8億元，認購漢磊5000萬股私募普通股，取得13%股權。

漢磊發表聲明表示，這次與世界先進合作將以8吋碳化矽半導體晶圓製造技術開發及未來量產爲主，相關技術初期由漢磊轉移，預計2026年下半年開始量產。

漢磊指出，碳化矽材料可以有效提升能源效率，可廣泛應用於電動車、AI資料中心、綠能儲能、工控及消費產品。透過結合與世界先進的技術優勢和市場資源，將可創造更大價值。

漢磊董事長徐建華透過新聞稿說，漢磊集團的嘉晶與世界是長期矽磊晶的合作伙伴，這次透過引進世界先進入股，將使彼此策略合作更加緊密。

世界董事長方略表示，世界目前已有電源管理IC、分離式元件及氮化鎵（GaN）相關技術，隨着導入碳化矽技術，將成爲完整第3類化合物半導體的8吋晶圓廠，提供從低功耗到高功率、低頻到高頻的完整電源管理技術平臺，爲客戶提供更具競爭力的解決方案。

方略指出，希望能爲客戶的產品提供更具競爭力的全方位解決方案。 此外，世界先進也期許透過與漢磊攜手研發創新綠能技術，爲實現低碳永續的未來盡一份心力。