臺積電、ARM合作延伸至20奈米以下
▲臺積電今日宣佈與ARM合作延伸至20奈米以下。(圖／臺積電提供)
記者蔡怡杼／臺北報導ARM與臺積電今(23)日共同宣佈一項爲期多年的合作協議，將雙方的合作延續至20奈米制程以下，藉由臺積電FinFET製程提供ARM的處理器技術，讓晶片設計商在應用處理器領域也能擴展其市場領先優勢。此項合作將爲ARMv8架構下的新一世代64位元ARM 處理器、ARM Artisan實體IP、以及臺積電FinFET製程技術進行最佳化，以應用於要求高性能與節能兼具的行動及企業市場。ARM執行副總裁暨處理器部門及實體IP部門總經理Simon Segars表示，藉由與臺積電的密切合作，ARM將能善用臺積電的專長，在先進矽製程技術中迅速地大幅提升高度整合SoC的量產。這項持續性深入的合作關係可以讓ARM的客戶及早利用FinFET技術，推出高效節能的產品。臺積電研究發展副總經理侯永清博士表示，這次的合作讓兩大產業龍頭比以往更加提早地攜手合作，透過ARM 64位元處理器與實體IP，讓臺積電FinFET製程進行最佳化。因此，臺積電能夠成功地實現高速、低電壓與低漏電流的目標，進而滿足共同客戶的要求，並達成產品迅速上市的目標。這次的合作涵蓋了兩家公司的技術資訊共享與回饋，協助提升ARM矽智財與臺積公司製程技術的開發。ARM將藉助製程資訊，打造兼顧效能、功率與面積(Power, Performance and Area, PPA)的最佳化完整解決方案，以降低風險並促使客戶及早採用。臺積電將藉由ARM最新的處理器和技術，爲先進的FinFET製程技術制定基準點並進行最佳化。透過臺積公司FinFET技術與ARMv8架構的整合，晶片設計產業可以取得能跨市場類別且持續創新的解決方案。此外，這項合作將可改善矽製程、實體IP和處理器技術，共同促成嶄新的系統單晶片(SoC)創新，並縮短產品上市時程。