行業協會：陸半導體國產化替代週期 恐逾十年

針對大陸半導體國產化一事，北京半導體行業協會副秘書長朱晶25日坦言，大陸在曝光機、先進製程離子植入機等設備，以及矽晶圓等領域的基礎差、任務重、研發難，而且投入週期長、人才少，可能需要十年以上的國產化替代週期。

集微網報導，朱晶在第五屆集微半導體峰會發表演講，提出大陸半導體國產化將受到地緣因素、技術革新換代、超大規模市場、半壟斷行業、頂尖人才外溢效應，以及產業鏈協同等六大因素影響。

朱晶指出，目前半導體產業因具有未來基礎技術的重要性而被美國視爲「地緣技術」（即某項技術重要到能夠影響社會運作），而中美紛爭爲地緣因素驅動大陸半導體國產化進程提供外部條件，在半導體設備、EDA（電子設計自動化）等美企的壟斷性強、技術壁壘高、人才稀少的上游領域，國產化進程受此影響更爲明顯。

在技術革新換代方面，朱晶表示，近年來大陸在先進領域的研發水準逐步提升，例如2020年大陸共有23篇國際固態電路會議（ISSCC）論文入選，排名全球第三，其中超過四分之一的論文是由學術界和業界合作完成，比例超過韓國、美國。表明大陸未來在新器件、新原理、新材料等方面有望趕上技術革新換代窗口機遇。