英特爾代工介紹多項技術進步：運用新材料，並引入創新的晶體管和封裝技術

在IEDM 2024大會上，英特爾代工（Intel Foundry）介紹了新的技術突破，以幫助推動半導體行業邁向未來的十年甚至更遠的將來。英特爾不但展示了有助於改善芯片內部互連的新材料，還率先報告了採用先進封裝的異構集成解決方案，將吞吐量提升了100倍。

英特爾代工已經確定了幾條路徑，以解決未來製程節點互連擴展方面的限制，包括：

減成法釕互連技術（subtractive Ruthenium） - 這是一種新的關鍵替代金屬化材料，團隊首次展示了一種實用、經濟、大批量生產相兼容的新工藝。在間距小於或等於25nm的情況下，最高可將線間電容降低25%，有助於改善芯片內互連。

選擇性層轉移（Selective Layer Transfer，SLT） - 這是一種用於先進封裝的異構集成解決方案，能將吞吐量提升高達100倍，從而實現了超快速的芯片間封裝（chip-to-chip assembly）。與傳統的芯片到晶圓鍵合相比，具有更好的靈活性，可以實現更小的芯片尺寸和更高的寬高比，允許更高的功能密度，並提供了更高效、更具成本效益的解決方案。

Silicon RibbonFET CMOS（互補金屬氧化物半導體） - 團隊展示了柵極長度爲6nm的Silicon RibbonFET CMOS晶體管，將柵極縮放到極限。

用於縮放GAA 2D FET的柵極氧化層（Gate Oxide）模塊 - 爲了進一步加速超越CFET的柵極全方位創新，團隊展示了其在製造柵極長度爲30nm的GAA 2D NMOS和PMOS晶體管制造方面的工作。

英特爾高級副總裁兼英特爾代工技術研究總經理Sanjay Natarajan表示：“英特爾代工繼續幫助定義和塑造半導體行業的路線圖。我們的最新突破強調了公司致力於提供在美國開發的尖端技術，使我們能夠很好地幫助平衡全球供應鏈，並在《芯片法案》的支持下恢復國內製造業和技術領先地位。”