對幹英特爾後 臺積電下週就等1件事開獎
上週五臺積電ADR大漲5.51%，跳空站上季線壓力，收124.8美元，在三月十七日除息2.5元下跌，貼息的保守氣氛始終圍繞在多頭心頭。後來又遇到英特爾宣佈擴大晶圓代工的IDM 2.0計劃，以及臺積電與宏碁示警重複下單的利空，雖然還不知道汽車晶片插隊會不會影響毛利率，但可以說，從一月二十一日的679元高點拉回的中期整理，在三月二十五日跌破季線(ADR跌到半年線)，已經觸底了。
四月六日臺積電終於填息，率領加權指數大漲168點再創新高，臺積電這次花了十三天才填息。接下來多頭將聚焦四月十五日法說會，重點關注今年會不會提高現金股息。臺積電去年每季配發2.5元現金股息，一年共配發十元現金，以四月一日收盤價602元計，殖利率約1.66%，大約等於美國十年期公債殖利率，在當前華爾街高度預期十年期美債殖利率將挑戰2%，臺積電的產能利用率持續維持擴產後的滿載，自然預期今年業績進一步成長，進而提高現金股利。
上一季法說會臺積電調高今年資本支出將達250~280億美元，相當於年增45~62%，創史上新高，其中80%將用於三奈米、五奈米及七奈米等先進製程。當時外資調高目標價到780元，多頭信心受到鼓舞，可以說看不到一片烏雲。
近期業界流傳一封臺積電總裁魏哲家寫給部分IC設計客戶的信，提到臺積電過去十二個月增加產能，產能利用率依然超過100%，無法滿足需求，臺積電計劃自2021年12月31日起暫停晶圓降價，爲期四季。並預計在接下來三年投入一千億美元(即每年超過333億美元)增加產能，此時拋出「三年千億美元」的論調無疑是對競爭對手(英特爾)大肆投資的直接回應。
今年三月喜迎元老基辛格迴歸的英特爾宣佈投資二百億美元在亞利桑那州新建兩座晶圓廠，並切入代工業務直接與臺積電等競爭；三星電子也已經宣佈未來十年在半導體業務上砸下一千億美元。
臺積電成爲臺灣股民最愛
臺積電的股東人數已經超越中鋼，爲臺股第一，但股民的持倉信心甚強，原因無他，就因爲先進製程狠甩對手。獨步全球的三奈米原預計今年下半年進行風險性試產，並於2022年下半年量產；但近日供應鏈傳出，臺積電三奈米制程已提前於三月開始風險性試產，並小量交貨，進度優於原先預期，意即三奈米量產時程可望較原先預計的2022年下半年提前。
由於臺積電七、五、三奈米沿用鰭式場效電晶體(FinFET)技術，但三星在三奈米採用更先進的環繞閘極(GAA)技術，所以還沒看到最終產品，還不知道誰家的三奈米產品更勝一籌，局勢雖對臺積電樂觀，但還談不上絕對壓倒性的領先，對手仍有彎道超車的機會，關鍵就是誰能領先量產二奈米制程。
依照目前的模式，三奈米以下的製程不太可能再把電晶體等元件蝕刻在矽基材上，因爲摩爾定律(運算能力每兩年增加一倍)的步調已經放緩，甚至可能很快就到達極限。
先進製程技術已遙遙領先
臺積電預計在二奈米制程切入GAA技術，正式進入另一個全新的製程技術領域，一旦臺積電真在2023~2024年間量產GAA技術的二奈米制程，則三星想在三奈米制程彎道超車的狀況，將會難上加難。
但是最先進的製程已經逼近物理極限，頂到了天花板，可能難再有發展的餘地，在這樣的情況下，目前全球都在尋找新型半導體材料或者下一代晶片來替代，或者至少把新材料與矽結合，以大幅提升性能。
最先進物理、化學和工程領域的研究人員，正在嘗試使用一些奇特的物質來製造微晶片，包括石墨烯、黑磷、過渡金屬硫化物(transition metal dichalcogenides)、氮化硼奈米片(boron nitride nanosheets)。
未來十年臺積電仍是龍頭
中國因爲受制於買不到EUV曝光機，而且EUV核心元件不只十萬個，據說美國科學家僅研究其中一個零件就花了十年時間，所以中國在美國的半導體禁令下想實現「去美化」，基本上沒有十年以上是不可能的，因此中國的研究是朝繞開EUV曝光機的方向發展。
而就在最近中國科研科學院已經成功研發出光量子晶片，光量子晶片是由光做載體，操控精度更準確，穩定性高，不易受外界干擾，而且存儲的資訊保存時間長，缺點就是光量子本身的溫度接近絕對零度，也就是在零下273.15度才能正常工作，另外光的極易消耗性也是問題，距離大量生產還有不少技術限制。在可預見的十年內，臺積電仍可維持領先地位。
本文作者:洪寶山
(本文摘自《理財週刊1076期》)
《理財週刊1076期》