盛吉盛申請高度可調式磁懸浮限位柱及半導體設備專利,實現調整晶圓到反射板之間距離
金融界2024年12月2日消息,國家知識產權局信息顯示,盛吉盛半導體科技(北京)有限公司申請一項名爲“高度可調式的磁懸浮限位柱及半導體設備”的專利,公開號 CN 119050041 A,申請日期爲2024年9月。
專利摘要顯示,本發明提供了一種高度可調式的磁懸浮限位柱及半導體設備,其中,高度可調式的磁懸浮限位柱設置於半導體設備的腔體與磁懸浮定子之間,用於調節腔體與磁懸浮定子之間的距離,高度可調式的磁懸浮限位柱包括第一柱體和第二柱體,第一柱體和第二柱體螺紋連接,第一柱體的上表面與腔體抵接,第二柱體的下表面與磁懸浮定子抵接。通過旋擰第一柱體或第二柱體使磁懸浮限位柱伸長或縮短來控制磁懸浮限位柱的高度,以調節磁懸浮定子與腔體之間的距離,進而通過磁懸浮定子控制磁懸浮轉子的高度,從而控制晶圓到反射板之間的距離。通過控制磁懸浮定子與腔體之間的距離,實現調整晶圓到反射板之間距離,該磁懸浮限位柱的結構簡單,易裝配,可實現快速調整。
本文源自:金融界
作者:情報員