氮化鎵攻RF市場 三五族備戰

第三代半導體材料氮化鎵（GaN）等發展受矚，全球磊晶龍頭IQE 2020年營收估將逾1.7億元英鎊，年增逾二成，即由GaN on SiC（碳化矽基氮化鎵）用於5G基礎設施所貢獻，惟相較其高成本，GaN on Si（矽基氮化鎵）獲市場相對看好、將率先進入無線射頻（RF）市場，已投入相關研發的臺系三五族半導體廠包括穩懋（3105）、宏捷科（8086）等也已就戰備位置。

宏捷科指出，GaN製程選擇有三，包括GaN on Sic（碳化矽基氮化鎵）、GaN on Si、GaN on Sapphire；其中，6吋GaN on Sic在各方面表現最佳，然成本最高，現階段不適合消費性電子產品。GaN on Sapphire則有散熱不佳的問題，相較之下，GaN on Si將有機會率先進入基礎建設與高頻射頻市場。

一般以GaAs（砷化鎵）所製作的晶圓要價約1,000～1,200美元／片，但若是以GaN on Sic製作，光是Epi（磊晶）一片就要約7,000～8,000美元，整個製程下來，一片要價恐高達10,000美元，與GaAs相較，差距約8～10倍左右，成本相當昂貴。此外，SiC基板主要由美系龍頭大廠Cree所掌握，幾乎是壟斷，以致材料取得不易。

GaN on Si目前已有包括臺積電在內用以製作快充，現階段以Power（電源）市場爲主，無線通訊的RF（射頻）元件則是各界亟欲卡位的未來商機。

包括穩懋、全新、宏捷科、全訊、環宇-KY、太極、中美晶等紛紛着手相關佈局，如中美晶攜手宏捷科、全新與太極、漢磊集團積極思考如何確保SiC（碳化矽）基板來源。

宏捷科表示，與中美晶合作，正是看好其旗下半導體子公司環球晶圓最有能力提供材料，現階段已陸續就參數等細節，進行來回調整，期望能在2022年上半年達到量產目標。