英特磊挾MBE 攻氮化鎵市場

三五族廠英特磊IET-KY（4971）22日召開股東會，董事長暨總經理高永中指出，下半年投入氮化鎵（GaN）／碳化矽（SiC）生產，並開發自組MBE機臺，銻化鎵（GaSb）國防訂單可望第三季簽約，今年營收成長動能仍來自主攻5G相關的磷化銦（InP），對下半年謹慎樂觀，全年營收年增5～15％目標不變。

氮化鎵能在高溫、高電壓環境運作，主要優勢在於高頻率元件。進入5G世代，對高頻率、高功率元件需求成長，氮化鎵被視爲下一世代關鍵材料、是繼砷化鎵（GaAs）後半導體材料的新起之秀，適用於5G網絡基站PA（功率放大器）、5G基礎建設、高頻高電壓元件及功率轉換器等。高永中特別點出，有多家客戶洽談合作事宜，2019年已與客戶着手開發。

英特磊爲全球唯二聚焦商用的MBE（分子束磊晶）高端磊晶廠，在新廠陸續完成六～八臺MBE機臺安裝後，也規畫組裝氮化鎵機臺。高永中指出，MBE在氮化鎵上具優勢，因生長的溫度低，可以減少在尺寸越來越大時出現裂紋的可能，在產品的準確度、參雜度、均勻度表現上，MBE都較MOCVD（金屬有機化學氣相沉積系統）來得好。