挾全球唯二商用MBE 英特磊攻氮化鎵市場

英特磊IET-KY（4971）22日召開股東會，董事長暨總經理高永中指出，在新廠組裝氮化鎵（GaN）機臺，下半年投入GaN/SiC生產，並開發自組MBE機臺、期年底到位，特別因應預期快速成長的氮化鎵領域，因MBE對氮化鎵更具優勢；對今年營收年成長維持原預估5～15％，態度謹慎樂觀。

英特磊爲全球唯二聚焦商用的MBE高端磊晶廠，2019年已與客戶着手開發氮化鎵。針對MBE在氮化鎵上的優勢，高永中指出，因生長的溫度低，可以減少在尺寸越來越大出現裂紋的可能，在產品的準確度、參雜度、均勻度表現上，MBE都較MOCVD來得好。

英特磊主要產品之一的銻化鎵（GaSb），今年在國防領域有重大突破，應用於戰鬥機的訂單在望，4月已有預先訂單、進入試車，惟原預定7月簽約，在大環境的改變下，時程可能略有延遲，但高永中表示，在第三季可望看到結果。下半年主要成長動力來自磷化銦（InP）、應用於光電方面，以及來自國防新訂單的銻化鎵。