陸記憶體巨頭利用高啓全最強作 能超車三星、美光?

示意圖(圖片來源/達志影像shutterstock提供)

大陸紫光集團旗下記憶體制造大廠長江存儲,近期傳出2021年產量倍增,將投產先進技術晶片,2021年中試產 192 層3D NAND,打算與該產業巨頭三星電子、美國記憶體大廠美光一較高下。

據《日經亞洲評論報導,長江存儲計劃於今年下半年,將記憶體晶片產能擴增至月產能10萬片,佔全球產出7%。至於NAND 型快閃記憶體龍頭製造商三星,月產能爲48 萬片,美國龍頭廠商美光爲月產能18萬片。

長江存儲打算加強發展進程,最快今年中就有機會試產第一批192 層 3D NAND 快閃記憶體。被市場譽爲臺灣DRAM教父的前紫光集團全球執行副總裁高啓全,在2015年10月退休後轉戰紫光,震撼半導體業界。高啓全當時同時擔任長江存儲執行董事代行董事長武漢新芯執行長職位,就是要抵抗當時在記憶體領域獨霸的三星電子

高啓全完成合並武漢新芯及NAND Flash整合,併成立長江存儲及完成3D NAND技術發展,成功開發Xtacking 技術,2020年4月完成128 層 3D NAND研發,並加速3D NAND 技術,追趕三星、SK 海力士等大廠。高啓全在5年合約期滿後,2020年10月離職並轉進臺灣再生晶圓廠辛耘,於湖北投資12吋再生晶圓廠。

該計劃可能延至2021年下半年,因爲需要保留時間維持產品品質,但這對於大陸半導體自主化是一注強心針。目前三星、美光正開發176 層 3D NAND,產能最先進版本爲128 層。

至於長江存儲計劃中的192 層,在定義上確實比三星、美光進步,但業界保持質疑態度,主要是要等到產品發表併發售後,所展現的效能如何才能評斷。目前消息指出,良率約70%,主要客戶包括華爲聯想集團

市調機構 IC Insights日前發表研究報告指出,包括長江存儲、長鑫存儲努力打造大陸本土生產線,但直至2025年,大陸還是會有超過半數的半導體透過海外廠商,包括臺積電、三星、聯電以及SK海力士等廠商生產晶片。